RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3061
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link