RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2419
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link