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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
13.6
写入速度,GB/s
8.1
9.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2419
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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