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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
60
左右 -114% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
28
读取速度,GB/s
4,595.2
17.8
写入速度,GB/s
2,168.2
14.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3660
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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