RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
49
Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
41
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
1512
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link