Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 49

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.5 10.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 39
Скорость чтения, Гб/сек

10.2 11.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2465 1881

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston 9905625-030.A00G 8GB

Kingston 9905625-030.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

модули RAM