RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
49
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.5
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
39
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
1881
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lenovo 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link