RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3444
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link