RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
75
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
75
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
1735
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 1066+ 2GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link