RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
52
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2104
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link