Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Различия

  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 52
    Около -108% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.2 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    52 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.8 left arrow 14.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 7.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2179 left arrow 2104
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения