RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
52
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
25
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2104
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link