RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
52
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
42
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2034
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link