RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
52
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
42
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2034
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link