RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
92
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3146
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link