RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
68
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
68
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2007
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link