RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
59
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
59
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
9.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2128
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link