RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
85
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
85
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
13.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
1838
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link