RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
76
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
76
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
1809
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link