RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.2
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
1254
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link