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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
11.2
11.1
写入速度,GB/s
8.1
6.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1254
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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