RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
63
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
63
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
1863
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link