RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
63
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
63
Velocità di lettura, GB/s
11.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
1863
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link