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Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Confronto
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
48
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
48
Velocità di lettura, GB/s
11.1
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1908
1420
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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