Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 47
    Intorno -68% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.1 left arrow 9.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.0 left arrow 5.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    47 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.3 left arrow 11.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.9 left arrow 8.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1413 left arrow 1908
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