RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3023
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link