RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2699
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link