RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2875
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link