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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
11.2
15.0
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2875
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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