RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
20.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3936
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link