RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3784
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link