RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3217
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link