RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3014
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link