RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
44
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3014
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link