RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 44
    Около -38% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.3 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.2 left arrow 11.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 7.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2293 left arrow 2292

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
модули RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
модули RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
модули RAM