Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 62

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.2 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 31
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 18.0
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 3040

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM