RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3076
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link