RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
58
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
11.3
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2292
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link