Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 11.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 46

Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.6 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 3200

Около 6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 34
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 11.2
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 19200

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2245

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

модули RAM