RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2245
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link