RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 11.2
    テスト平均値
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB 考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 46
    周辺 -35% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 11.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2245

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
メモリRAM