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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3076
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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