RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3076
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link