Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.1 8.0

Среднее значение в тестах

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 44

Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.5 11.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 32
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 14.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 2307

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Super Talent F24SB8GH 8GB

Super Talent F24SB8GH 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM