RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
64
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
64
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2197
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link