RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
64
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
64
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2197
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link