RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2681
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link