RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2681
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link