RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
25
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2681
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link