RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
48
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
48
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2196
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link