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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
48
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
48
读取速度,GB/s
11.2
17.5
写入速度,GB/s
8.1
8.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2196
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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